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SI7972DP-T1-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

SI7972DP-T1-GE3
廠商型號(hào)

SI7972DP-T1-GE3

功能描述

Dual N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件大小

230.06 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

VISHAY威世科技

中文名稱(chēng)

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-7-9 15:30:00

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SI7972DP-T1-GE3規(guī)格書(shū)詳情

FEATURES

? TrenchFET? power MOSFET

? PWM optimized

? 100 Rg and UIS tested

? Material categorization:

for definitions of compliance please see

www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? System power DC/DC

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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