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SI9407BDY-T1-GE3

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

GENERALFEATURES ?Vos=-60Vb=-4A. ?ROS(ON)

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

臺(tái)舟電子臺(tái)舟電子股份有限公司

SI9407BDY-T1-GE3

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SI9407BDY-T1-GE3

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體(臺(tái)灣)有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    SI9407BDY-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET 60V 4.7A 5.0W 120mohm @ 10V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY
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SOP8
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一級(jí)代理/全新原裝現(xiàn)貨/長(zhǎng)期供應(yīng)!
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原廠渠道 可含稅出貨
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全新原裝公司現(xiàn)貨
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原裝現(xiàn)貨只有原裝
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原裝正品 有掛有貨
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更多SI9407BDY-T1-GE3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 9:30:00