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SI9912DY-T1-E3集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
SI9912DY-T1-E3 |
參數(shù)屬性 | SI9912DY-T1-E3 封裝/外殼為8-SOIC(0.154",3.90mm 寬);包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器;產(chǎn)品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC |
功能描述 | Half-Bridge MOSFET Driver for Switching Power Supplies |
封裝外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
文件大小 |
95.15 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Vishay Siliconix |
企業(yè)簡稱 |
Vishay【威世科技】 |
中文名稱 | 威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-10 15:05:00 |
SI9912DY-T1-E3規(guī)格書詳情
SI9912DY-T1-E3屬于集成電路(IC)的柵極驅(qū)動器。由威世科技半導(dǎo)體制造生產(chǎn)的SI9912DY-T1-E3柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 可用于提供隔離、放大、參考位移、自舉或其他必要功能,這些功能可將來自電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用中控制設(shè)備的信號連接到電源被控制通過的半導(dǎo)體設(shè)備(通常為 FET 或 IGBT)。任何特定設(shè)備提供的確切功能各不相同,但與它適合驅(qū)動的半導(dǎo)體配置相關(guān)。
DESCRIPTION
The Si9912 is a dual MOSFET high-speed driver with break-before-make. It is designed to operate in high frequency dc-dc switchmode power supplies. The high-side driver is bootstrapped to handle the high voltage slew rate associated with “floating” high-side gate drivers. Each driver is capable of switching a 3000-pF load with 60-ns propogation delay and 25-ns transition time. The Si9912 comes with an internal break-before-make feature to prevent shoot-through current in the external MOSFETs. A shutdown pin is used to enable the driver. When disabled, the quiescent current of the driver is less than 5 A.
FEATURES
? 4.5- to 5.5-V Operation
? Undervoltage Lockout
? 250-kHz to 1-MHz Switching Frequency
? Shutdown Quiescent Current <5 A
? One Input PWM Signal Generates Both Drive
? Bootstrapped High-Side Drive
? Operates from 4.5- to 30-V Supply
? TTL/CMOS Compatible Input Levels
? 1-A Peak Drive Current
? Break-Before-Make Circuit
APPLICATIONS
? Multiphase Desktop CPU Supplies
? Single-Supply Synchronous Buck Converters
? Mobile Computing CPU Core Power Converters
? Standard-Synchronous Converters
? High Frequency Switching Converters
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
SI9912DY-T1-E3
- 制造商:
Vishay Siliconix
- 類別:
集成電路(IC) > 柵極驅(qū)動器
- 包裝:
卷帶(TR)
- 驅(qū)動配置:
半橋
- 通道類型:
同步
- 柵極類型:
N 溝道 MOSFET
- 電壓 - 供電:
4.5V ~ 5.5V
- 電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):
1A,1A
- 輸入類型:
非反相
- 上升/下降時間(典型值):
30ns,20ns
- 工作溫度:
-40°C ~ 125°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
- 供應(yīng)商器件封裝:
8-SOIC
- 描述:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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