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SIA419DJ-T1-GE3中文資料微碧半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠(chǎng)商型號(hào) |
SIA419DJ-T1-GE3 |
| 功能描述 | P-Channel 20 V (D-S) MOSFET |
| 文件大小 |
1.25247 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
9 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠(chǎng)商 | VBsemi Electronics Co.,Ltd |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
VBSEMI【微碧半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱(chēng) | 微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司官網(wǎng) |
| 原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-2-4 17:08:00 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SIA419DJ-T1-GE3
- 功能描述：
MOSFET 20V 12A 19W 30mohm @ 4.5V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
DFN6 |
893993 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢(xún)價(jià) | |||
VISHAY/威世 |
22+ |
QFN |
161893 |
原裝正品現(xiàn)貨,可開(kāi)13個(gè)點(diǎn)稅 |
詢(xún)價(jià) | ||
Vishay(威世) |
23+ |
N/A |
11800 |
詢(xún)價(jià) | |||
Vishay/Siliconix |
24+ |
SC-70-6 |
7500 |
詢(xún)價(jià) | |||
VISHAY |
2020+ |
QFN6 |
80000 |
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增 |
詢(xún)價(jià) | ||
Vishay Siliconix |
2022+ |
PowerPAK? SC-70-6 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY/威世 |
22+ |
SOT-363 |
25000 |
只有原裝原裝,支持BOM配單 |
詢(xún)價(jià) | ||
Vishay(威世) |
22+ |
NA |
6500 |
原廠(chǎng)原裝現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY |
16+ |
DFN6 |
1562 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) | ||
VISHAY |
23+ |
SC70-6 |
6680 |
全新原裝優(yōu)勢(shì) |
詢(xún)價(jià) |
