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SIA907EDJT-T4-GE3中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

SIA907EDJT-T4-GE3
廠商型號(hào)

SIA907EDJT-T4-GE3

功能描述

Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

文件大小

278.47 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-26 23:00:00

SIA907EDJT-T4-GE3規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? power MOSFET

? Thermally enhanced Thin PowerPAK? SC-70

package

- Small footprint area

- Low on-resistance

? Typical ESD protection: 1500 V HBM

? High speed switching

? Material categorization: For definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Charger Switch, Load Switch for Portable Devices

? Battery Management

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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