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SIDR610EP中文資料威世科技數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SIDR610EP
廠商型號

SIDR610EP

功能描述

N-Channel 200 V (D-S) 175 °C MOSFET

文件大小

184.1 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Vishay Siliconix
企業(yè)簡稱

Vishay威世科技

中文名稱

威世科技半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-26 8:26:00

SIDR610EP規(guī)格書詳情

FEATURES

? TrenchFET? technology optimizes balance of

RDS(on), Qg, Qsw, and Qoss

? Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

? Top side cooling feature provides additional

venue for thermal transfer

? 100 Rg and UIS tested

? Material categorization: for definitions of compliance

please see www.vishay.com/doc?99912

APPLICATIONS

? Fixed telecom

? DC/DC converter

? Primary and secondary side switch

? Synchronous rectification

? Power supplies

? Class D amplifier

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
SILICONIXVISHAY
21+
NA
12000
只做原裝,一定有貨,不止網(wǎng)上數(shù)量,量多可訂貨!
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Vishay Siliconix
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Vishay
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MOSFETs
100000
Trans MOSFET N-CH 60V 42.8A 8-Pin PowerPAK SO-DC E
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VISHAY/威世
23+
PowerPAKSO-8
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VISHAY/威世
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