訂購數(shù)量 | 價格 |
---|---|
1+ |
首頁>SIGC158T120R3>芯片詳情
SIGC158T120R3 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 INFINEON/英飛凌
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
原廠料號:SIGC158T120R3品牌:INFINEON
SIGC158T120R3是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝1/模具的SIGC158T120R3晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
SIGC158T120R3LEX1SA2
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,150A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
模具
- 供應(yīng)商器件封裝:
模具
- 描述:
IGBT 1200V 150A DIE
供應(yīng)商
相近型號
- SIGC156T60NR2CYX1SA1
- SIGC158T120R3LEX1SA2
- SIGC156T60NR2CY
- SIGC158T120R3LEX1SA6
- SIGC156T60NR2CX1SA4
- SIGC158T120R3LZJ
- SIGC156T60NR2C
- SIGC158T120R3X1SA2
- SIGC156T120R2CZJ
- SIGC158T120R3ZJ
- SIGC156T120R2CX1SA4
- SIGC158T170R3
- SIGC156T120R2CSZJ
- SIGC158T170R3E
- SIGC158T170R3EX1SA3
- SIGC156T120R2CSX1SA1
- SIGC158T170R3ZJ
- SIGC156T120R2CS
- SIGC15T60
- SIGC156T120R2CQZJ
- SIGC15T60E
- SIGC156T120R2CQX1SA1
- SIGC15T60EX1SA1
- SIGC156T120R2CQ
- SIGC15T60EX1SA4
- SIGC156T120R2CLX1SA1
- SIGC15T60S
- SIGC156T120R2CL
- SIGC15T60SE
- SIGC156T120R2C
- SIGC15T60SEX1SA2
- SIGC14T60SNCZJ
- SIGC15T60SEX7SA1
- SIGC14T60SNCX1SA5
- SIGC15T60UN
- SIGC14T60SNC
- SIGC15T60UNX1SA1
- SIGC14T60NCZJ
- SIGC15T60UNZJ
- SIGC14T60NC
- SIGC15T60X1SA4
- SIGC144T170R2CZJ
- SIGC15T60ZJ
- SIGC144T170R2CX1SA1
- SIGC15T65E
- SIGC144T170R2C
- SIGC15T65EX1SA1
- SIGC144T170CZJ
- SIGC16T120C
- SIGC12T60SNCX1SA3