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SIHF12N50C-E3

100 Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF12N50C-E3

Power MOSFETs

FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF12N50C-E3

Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB12N50C-E3

PowerMOSFETs

FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB12N50C-E3

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHB12N50C-E3

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

SIHB12N50C-E3

100AvalancheTestedComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP12N50C-E3

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP12N50C-E3

PowerMOSFETs

FEATURES ?LowFigure-of-MeritRonxQg ?100AvalancheTested ?GateChargeImproved ?Trr/QrrImproved ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SIHF12N50C-E3

  • 功能描述：

    MOSFET N-Channel 500V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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VISHAY/威世全新特價(jià)SIHF12N50C-E3即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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更多SIHF12N50C-E3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-25 14:08:00

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