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SIHF12N60E-E3

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBSEMI

SIHF12N60E-E3

E Series Power MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

SIHP12N60E-E3

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

SIHP12N60E-E3

VishayGeneralSemiconductor

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

SIHG16N50C-E3

VISHY
TO-247

VISHY

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SIHF12N60E-E3

  • 功能描述：

    MOSFET 600V 380mOhm@10V 12A N-Ch E-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY
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 詢價(jià)
更多SIHF12N60E-E3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 9:07:00

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