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SIHF18N50D

D Series Power MOSFET

FEATURES ?Optimaldesign -Lowareaspecificon-resistance -Lowinputcapacitance(Ciss) -Reducedcapacitiveswitchinglosses -Highbodydioderuggedness -Avalancheenergyrated(UIS) ?Optimalefficiencyandoperation -Lowcost -Simplegatedrivecircuitry

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

SIHF18N50D

D Series Power MOSFET

FEATURES ?Optimaldesign -Lowareaspecificon-resistance -Lowinputcapacitance(Ciss) -Reducedcapacitiveswitchinglosses -Highbodydioderuggedness -Avalancheenergyrated(UIS) ?Optimalefficiencyandoperation -Lowcost -Simplegatedrivecircuitry -Lowfigure-of-merit(

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

SIHF18N50D_V01

D Series Power MOSFET

FEATURES ?Optimaldesign -Lowareaspecificon-resistance -Lowinputcapacitance(Ciss) -Reducedcapacitiveswitchinglosses -Highbodydioderuggedness -Avalancheenergyrated(UIS) ?Optimalefficiencyandoperation -Lowcost -Simplegatedrivecircuitry -Lowfigure-of-merit(

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

SIHFB18N50K

PowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

SIHFB18N50K

PowerMOSFET

1.LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement 2.ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness 3.FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent 4.LowRDS(on) 5.Lead(Pb)-freeAvailable

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

SIHP18N50C

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SIHF18N50D

  • 功能描述：

    MOSFET 500V 280mOhm@10V 18A N-Ch D-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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更多SIHF18N50D供應(yīng)商 更新時間2025-8-2 10:20:00

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