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SIHF630	文件：579.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF630	文件：5.97495 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SiHF630	文件：283.3 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF630-E3	文件：579.72 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF630-E3	文件：5.97495 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220ABpackageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipati	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHF630S	文件：175.32 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprovidesthe	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF630S	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Fastswitching ?Easeofparalleling ?Simpledriverequirements ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note? *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF630S-GE3	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF630STRL-GE3A	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHF630STRR-GE3A	文件：218.73 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFI630G	文件：1.55776 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialapplicat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHL630	文件：1.92247 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200V RDS(on)(Ω)VGS=5V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SiHL630S	文件：226.54 Kbytes Page：9 Pages	AvailableinTapeandReel	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHL630S	文件：265.88 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?Surface-mount ?Availableintapeandreel ?Dynamicdv/dtrating ?Repetitiveavalancherated ?Logic-levelgatedrive ?RDS(on)specifiedatVGS=4Vand5V ?150°Coperatingtemperature ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHLI630G	文件：1.02856 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)200 RDS(on)(Ω)VGS=5.0V0.40 Qg(Max.)(nC)40 Qgs(nC)5.5 Qgd(nC)24 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectivenes	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIL630	文件：336.87 Kbytes Page：1 Pages	SMTPowerInductor Features ■RoHScompliant. ■Magneticallyshielded. ■Idealforpowersourcecircuits,DC-DCconverter,DC-ACinvertersinductorapplication. ■Inadditiontothestandardversionsshownhere,customizedinductorsareavailabletomeetyourexactrequirements.	deltaDelta Electronics, Inc. 臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司	delta
SIL630	文件：172.6 Kbytes Page：1 Pages	SMTPowerInductor	deltaDelta Electronics, Inc. 臺(tái)達(dá)電子工業(yè)股份有限公司	delta
SL-630	文件：142.4 Kbytes Page：3 Pages	High/lowliquidlevelmonitor	TECTE Connectivity Ltd 泰科電子泰科電子有限公司	TEC
SLM-630	文件：23.13 Kbytes Page：1 Pages	MOLDED,SELF-RETAININGLEDMOUNT	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商etc2未分類制造商	etc2
SMC630	文件：227.67 Kbytes Page：1 Pages	highbrightgreencolorsmdledonceramics	ROITHNER Roithner LaserTechnik GmbH	ROITHNER

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
SIHF630
制造商：
VISHAY
制造商全稱：
Vishay Siliconix
功能描述：
Power MOSFET

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	SiHF630	Vishay	20+	TO-220	36900	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢價(jià)
深圳市國(guó)宇半導(dǎo)體科技有限公司	SiHF630	VISHAY/威世	23+	TO-220	31500	公司只做原裝正品	詢價(jià)
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	SiHF630	VISHAY	23+	TO-220鐵頭	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	SiHF630	VISHAY/威世	23+	TO-220	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價(jià)
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	SiHF630	VISHAY/威世	21+	TO-220	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價(jià)
深圳廊盛科技有限公司	SiHF630	VISHAY/威世	2022	TO-220	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價(jià)
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SiHF630	VISHAY/威世	2022+	TO-220	32500	原廠代理終端免費(fèi)提供樣品	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	SiHF630	VISHAY	2228+	TO-220鐵頭	14289	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
海芯未來(lái)半導(dǎo)體電子（深圳）有限公司	SiHF630	VISHAY	24+	TO-220鐵頭	14289		詢價(jià)
深圳市得捷芯城科技有限公司	SiHF630	VISHAY/威世	23+	NA/	31500	優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開(kāi)增值稅票	詢價(jià)

更多SIHF630供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 11:05:00

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