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SIHFR310T	文件：1.41713 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFR310T	文件：1.07628 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SIHFR310TA	文件：3.93309 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR310T-E3	文件：1.41713 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFR310T-E3A	文件：3.93309 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR310TL	文件：1.41713 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFR310TLA	文件：3.93309 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR310TL-E3	文件：1.41713 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFR310TL-E3A	文件：3.93309 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR310TR-E3	文件：1.41713 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationpowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFR310TR-E3A	文件：3.93309 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR310TL	文件：1.07632 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SIHFR310TR-E3	文件：1.07641 Mbytes Page：9 Pages	Power MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SIHFR310TR-GE3	文件：835 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFR310TRL-GE3	文件：835 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SIHFR310TRR-GE3	文件：835 Kbytes Page：13 Pages	Power MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay

詳細(xì)參數(shù)

型號：
SIHFR310T
制造商：
VISHAY
制造商全稱：
Vishay Siliconix
功能描述：
Power MOSFET

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
京海半導(dǎo)體(深圳)有限公司	SIHFR310T	VB	21+	TO-252	10000	原裝現(xiàn)貨假一罰十	詢價
深圳市河鋒鑫科技有限公司	SIHFR310T	V	22+	TO-252	6000	十年配單,只做原裝	詢價
深圳市創(chuàng)新跡電子有限公司	SIHFR310T	V	22+	TO-252	25000	只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單	詢價
深圳市國宇半導(dǎo)體科技有限公司	SIHFR310TR-E3	V	23+	TO-252	10000	公司只做原裝正品	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	SiHFR310TRL-GE3	VISHAY/威世	23+	TO-252	11200	原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO	詢價
深圳市亞泰盈科電子有限公司	SiHFR320	VISHAY		SOT-252	30216	提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S	詢價
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	SiHFR320	Vishay	20+	TO-252	36900	原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票	詢價
深圳市安富世紀(jì)電子有限公司	SiHFR320	VISHAY/威世	23+	TO-252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳市仟禧電子有限公司	SiHFR320	VISHAY/威世	22+	SOT-252	20000	保證原裝正品,假一陪十	詢價
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	SiHFR320	VISHAY/威世	23+	TO-252	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價

更多SIHFR310T供應(yīng)商更新時間2025-1-11 10:10:00

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