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SIHB30N60E-GE3

ESeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHF30N60E-GE3

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    SIHW30N60E-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 600V 125mOhm@10V 29A N-Ch E-SRS

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
VISHAY
2020+
TO-247
9600
百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
 詢價
Vishay Siliconix
24+
TO-247AD
30000
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品
 詢價
VISHAY/威世
24+
3200
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
VISHAY(威世)
23+
TO-247
8145
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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VISHY
1331
TO247
6000
普通
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VISHAY/威世
21+
TO-247
3000
原裝現(xiàn)貨假一賠十
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22+
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8900
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更多SIHW30N60E-GE3供應(yīng)商 更新時間2025-4-1 17:54:00

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