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SIR412DP-T1-GE3

N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

Vishay

SIR416DP-T1-GE3

Vishay
PowerPAK-SO-8

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

上傳：深圳市金嘉銳電子有限公司

Vishay

SiR422DP-T1-GE3

VISHAY
SO-8

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

上傳：深圳市紐聯(lián)電子有限公司

Vishay

SIR422DP-T1-GE3

VISHAY/威世
PAKSO-8

VISHAY/威世

SIR426DP-T1-GE3

NK/南科功率
DFN5X6

NK/南科功率

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SIR412DP-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 25V 20A N-CH MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
VISHAY/威世
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PAKSO-8
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更多SIR412DP-T1-GE3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 14:13:00

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