首頁>SiS413DN-T1-GE3>芯片詳情

SiS413DN-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III匯萊威一部

SiS413DN-T1-GE3

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào):

    SiS413DN-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    VISHAY/威世

  • 庫存數(shù)量:

    502672

  • 產(chǎn)品封裝:

    DFN3*3

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    24+

  • 庫存類型:

    優(yōu)勢(shì)庫存

  • 更新時(shí)間:

    2025-2-3 17:06:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):SiS413DN-T1-GE3品牌:VISHAY/威世

免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系

  • 芯片型號(hào):

    SIS413DN-T1-GE3

  • 規(guī)格書:

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱:

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱:

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    13 頁

  • 文件大?。?/span>

    547.03 kb

  • 資料說明:

    P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    SiS413DN-T1-GE3

  • 功能描述:

    MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III

  • RoHS:

  • 制造商:

    Vishay Semiconductors

  • 晶體管極性:

    P-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    30 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    +/- 20 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    18 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    9.4 mOhms

  • 配置:

    Single

  • 最大工作溫度:

    + 150 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerPAK 1212-8

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市匯萊威科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    朱小姐

  • 手機(jī):

    18126328660

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-82767689

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華富路1046號(hào)華康大夏2棟503