首頁(yè)>SIS434DN-T1-GE3>芯片詳情

SIS434DN-T1-GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET 40V 35A 52W 7.6mohm @ 10V森泰鴻科技

圖片僅供參考，請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號(hào)：

    SIS434DN-T1-GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    VISHAY

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    8990

  • 產(chǎn)品封裝：

    PowerPAK-1212-8

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    22+

  • 庫(kù)存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2024-8-14 16:23:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào)：SIS434DN-T1-GE3品牌：VISHAY

只做原裝正品,工廠現(xiàn)貨,支持實(shí)單

  • 芯片型號(hào)：

    SIS434DN-T1-GE3

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    13 頁(yè)

  • 文件大小：

    563.9 kb

  • 資料說(shuō)明：

    N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SIS434DN-T1-GE3

  • 功能描述：

    MOSFET 40V 35A 52W 7.6mohm @ 10V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市森泰鴻科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    楊小姐

  • 手機(jī)：

    13631564551

  • 詢價(jià)：
  • 地址：

    深圳市龍華區(qū)龍華街道龍園社區(qū)龍峰一路498號(hào)2層211

相近型號(hào)