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SKB06N60

Fast IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

?75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses ?Shortcircuitwithstandtime–10μs ?Designedfor:Motorcontrols,Inverter ?NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution -highruggedness,temperaturestablebeh

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英飛凌英飛凌科技股份公司

SKB06N60

Fast S-IGBT in NPT-technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon diode

InfineonInfineon Technologies AG

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SKB06N60HS

High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SKB06N60HS

High Speed IGBT in NPT-technology

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

SKB06N60HS_07

High Speed IGBT in NPT-technology 30 lower Eoff compared to previous generation

InfineonInfineon Technologies AG

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SKB06N60ATMA1

Package：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 12A 68W TO263-3-2

InfineonInfineon Technologies AG

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06N60E

N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET

Features Maintainsbothlowpowerlossandlownoise LowerRDS(on)characteristic Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance SmallerVGSringingwaveformduringswitching Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) Highavalanchedurability Applica

FujiFuji Electric

富士電機(jī)富士電機(jī)株式會(huì)社

AIHD06N60R

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

AIHD06N60RF

IGBTwithintegrateddiodeinpackagesofferingspacesavingadvantage

InfineonInfineon Technologies AG

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CJP06N60

PowerfiledEffectTransistor

FEATURES ◆RobustHighVoltageTermination ◆AvalancheEnergySpecified ◆Source-to-DrainDiodeRecoveryTimeComparabletoa DiscreteFastRecoveryDiode ◆DiodeisCharacterizedforUseinBridgeCircuits ◆IDSSandVDS(on)SpecifiedatElevatedTemperature

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SKB06N60

  • 功能描述：

    IGBT 晶體管 FAST IGBT NPT TECH 600V 6A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Fairchild Semiconductor

  • 配置：

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓：

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    187 W

  • 封裝/箱體：

    TO-247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON
SOT-263
30216
提供BOM表配單TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
SOT-263
16888
原裝進(jìn)口假一罰十
 詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
24+
TO-263
1883
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價(jià)
英飛翎
17+
TO-220
31518
原裝正品 可含稅交易
 詢價(jià)
INF
24+
24000
詢價(jià)
Infineon
23+
SMD
25141
全新原裝現(xiàn)貨,專業(yè)代理熱賣
 詢價(jià)
INFINEON
23+
NA
19960
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
 詢價(jià)
INFINEON
23+
TO-263
11846
一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
 詢價(jià)
SOT263
23+
NA
15659
振宏微專業(yè)只做正品,假一罰百!
 詢價(jià)
INFINEON
1822+
TO-220
9852
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!
 詢價(jià)
更多SKB06N60供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-28 14:00:00

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