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SMBT3904DW1T1G中文資料安森美半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SMBT3904DW1T1G
廠商型號

SMBT3904DW1T1G

功能描述

Dual General Purpose Transistors

文件大小

102.68 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-7 23:11:00

SMBT3904DW1T1G規(guī)格書詳情

The MBT3904DW1 and MBT3904DW2 devices are a spin?off of our popular SOT?23/SOT?323 three?leaded device. It is designed for general purpose amplifier applications and is housed in the SOT?363 six?leaded surface mount package. By putting two discrete devices in one package, this device is ideal for low?power surface mount applications where board space is at a premium.

Features

? hFE, 100?300

? Low VCE(sat), ≤ 0.4 V

? Simplifies Circuit Design

? Reduces Board Space

? Reduces Component Count

? Available in 8 mm, 7?inch/3,000 Unit Tape and Reel

? S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC?Q101

Qualified and PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SMBT3904DW1T1G

  • 功能描述:

    兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR NPN 40V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    PNP 集電極—基極電壓

  • VCBO:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    - 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益帶寬產(chǎn)品fT:

    直流集電極/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安裝風格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    PowerFLAT 2 x 2

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ON
2020+
SC-88-6 / SC-70-6 /
15000
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
ON/安森美
23+
SOT-363
52048
原廠可訂貨,技術支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
詢價
三年內
1983
只做原裝正品
詢價
ON/安森美
23+
SOT-363-6
30000
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十!
詢價
ON/安森美
22+
SOT-363-6
12000
只有原裝,原裝,假一罰十
詢價
ON(安森美)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務做口碑有支持
詢價
onsemi
24+
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
30000
晶體管-分立半導體產(chǎn)品-原裝正品
詢價
onsemi(安森美)
23+
SOT363
6000
誠信服務,絕對原裝原盤
詢價
ON/安森美
21+
SOT-363-6
13880
公司只售原裝,支持實單
詢價
NXP
24+
SOT363
5000
十年沉淀唯有原裝
詢價