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SSM2306	文件：416.07 Kbytes Page：16 Pages	2W,Filterless,Class-DStereoAudioAmplifier	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
SSM2306	文件：503.37 Kbytes Page：16 Pages	2W,Filterless,Class-DStereoAudioAmplifier	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
SSM2306A	文件：1.11775 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SSM2306CPZ-REEL	文件：416.07 Kbytes Page：16 Pages	2W,Filterless,Class-DStereoAudioAmplifier	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
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SSM2306N	文件：155.06 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERMOSFET	SSC Silicon Standard Corp.	SSC
ST2306	文件：150.22 Kbytes Page：8 Pages	NChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION TheST2306istheN-Channellogicenhancementmodepowerfieldeffecttransistorisproducedusinghighcelldensity,DMOStrenchtechnology.Thishigh-densityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuitedforlowvoltageappli	STANSON Stanson Technology	STANSON
ST2306SRG	文件：493.29 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
STS2306	文件：646.68 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SOT-23package.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS2306	文件：1.0517 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES ?Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?DC/DCConverters ?LoadSwitchforPortableApplications	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI

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