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SMMBF4391LT1G分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET規(guī)格書PDF中文資料

SMMBF4391LT1G
廠商型號(hào)

SMMBF4391LT1G
參數(shù)屬性

SMMBF4391LT1G 封裝/外殼為TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET；產(chǎn)品描述：JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
功能描述

JFET Switching Transistors
JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
封裝外殼

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
文件大小

180.21 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】

中文名稱

安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-7 23:00:00

SMMBF4391LT1G規(guī)格書詳情

SMMBF4391LT1G屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-JFET。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的SMMBF4391LT1G晶體管 - JFET結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (JFET) 是用作電子控制開(kāi)關(guān)、放大器或電壓控制電阻器的器件。在柵極端子與源極端子之間施加適當(dāng)極性的電勢(shì)差就會(huì)增加電流流動(dòng)的阻力，這意味著源極端子與漏極端子之間通道中流動(dòng)的電流會(huì)更少。由于電荷流過(guò)源極與漏極端子之間的半導(dǎo)體通道，因此 JFET 不需要偏置電流。

JFET Switching Transistors

N?Channel

Features

? S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique

Site and Control Change Requirements; AEC?Q101 Qualified and

PPAP Capable

? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    SMMBF4391LT1G

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - JFET

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • FET 類型：

    N 通道

  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：

    14pF @ 15V（VGS）

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    SOT-23-3（TO-236）

  • 描述：

    JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
onsemi(安森美)
23+
SOT23(TO236)
7350
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ON(安森美)
23+
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