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SPB02N60S5中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

SPB02N60S5
廠商型號

SPB02N60S5

功能描述

Cool MOS??Power Transistor Feature New revolutionary high voltage technology

文件大小

349.26 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-29 23:00:00

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SPB02N60S5規(guī)格書詳情

Feature

? New revolutionary high voltage technology

? Ultra low gate charge

? Periodic avalanche rated

? Extreme dv/dt rated

? Ultra low effective capacitances

? Improved transconductance

? Qualified according to JEDEC0) for target applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    SPB02N60S5

  • 功能描述:

    MOSFET COOL MOS N-CH 600V 1.8A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
INFINEON/英飛凌
23+
NA/
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原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持!
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INFINEON/英飛凌
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代理渠道/只做原裝/可含稅
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一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
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INFINEON/英飛凌
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只做原廠渠道 可追溯貨源
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INFINEON
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INFINEON/英飛凌
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Infineon(英飛凌)
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INFINEON
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P-TO263-3-2
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P-TO263-3-2
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