SPD08P06P中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
SPD08P06P |
| 功能描述 | SIPMOS? Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode |
| 文件大小 |
598.62 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
9 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
INFINEON【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-6-13 23:00:00 |
| 人工找貨 | SPD08P06P價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
SPD08P06P
- 功能描述：
MOSFET P-CH 60V 8.83A DPAK
- RoHS：
是
- 類別：
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單
- 系列：
SIPMOS®
- 標(biāo)準(zhǔn)包裝：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET
- 特點(diǎn)：
邏輯電平門
- 漏極至源極電壓(Vdss)：
200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°
- C：
18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商設(shè)備封裝：
TO-220FP
- 包裝：
管件
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
24+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
7198 |
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開票。 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
NA/ |
22500 |
優(yōu)勢(shì)代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價(jià) | ||
I |
24+ |
TO-252 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
25+ |
TO-252D-PAK |
54558 |
百分百原裝現(xiàn)貨 實(shí)單必成 歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
07+ |
TO252 |
248 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
20+ |
P-TO252-3-1 |
36900 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) | ||
Infineon Technologies |
21+ |
PG-TO252-3 |
2500 |
100%進(jìn)口原裝!長(zhǎng)期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠信經(jīng)營(yíng))! |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
22+ |
TO252 |
6000 |
進(jìn)口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
Infineon/英飛凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
25000 |
原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
Infineon(英飛凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正納10年以上分銷經(jīng)驗(yàn)原裝進(jìn)口正品做服務(wù)做口碑有支持 |
詢價(jià) |
