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SPP02N80C3

Cool MOS Power Transistor

Feature ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Ultralowgatecharge ?Periodicavalancherated ?Extremedv/dtrated ?P-TO-220-3-31:Fullyisolatedpackage(2500VAC;1minute)

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SPP02N80C3

CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology

Features ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Ultralowgatecharge ?Ultraloweffectivecapacitances CoolMOSTM800Vdesignedfor:

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SPP02N80C3

CoolMOSTM Power Transistor

Features ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Ultralowgatecharge ?Ultraloweffectivecapacitances CoolMOSTM800Vdesignedfor:

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SPP02N80C3

500V-900V CoolMOS? N-Channel Power MOSFET; 特定導(dǎo)通電阻低（R DS（on）* A）\n ? 輸出電容為（E oss）@ 400V 時，能量儲存非常低\n? 低柵極電荷(Qg)\n? 經(jīng)過實(shí)踐認(rèn)證的 CoolMOS? 質(zhì)量\n? 自1998年以來，英飛凌就開始大規(guī)模開發(fā)CoolMOS? 技術(shù)\n\n優(yōu)勢:\n? 高效率，高功率密度\n? 超高成本/性能比\n? 高可靠性\n? 使用方便\n?\n;

CoolMOS? P7替代CoolMOS? C3 。\n 800V CoolMOS? C3 是英飛凌第三個 CoolMOS? 系列產(chǎn)品，于 2001 年上市。C3 是產(chǎn)品組合中的主力軍。 \n

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SPP02N80C3_08

CoolMOSTM Power Transistor Features New revolutionary high voltage technology

Features ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Ultralowgatecharge ?Ultraloweffectivecapacitances CoolMOSTM800Vdesignedfor:

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SPP02N80C3_11

CoolMOSTM Power Transistor

Features ?Newrevolutionaryhighvoltagetechnology ?Extremedv/dtrated ?Highpeakcurrentcapability ?QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications ?Pb-freeleadplating;RoHScompliant ?Ultralowgatecharge ?Ultraloweffectivecapacitances CoolMOSTM800Vdesignedfor:

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技術(shù)參數(shù)

  • Package?：

    TO-220

  • VDS?max：

    800.0V

  • RDS (on)?max：

    2700.0m?

  • Polarity?：

    N

  • ID ?max：

    2.0A

  • Ptot?max：

    42.0W

  • IDpuls?max：

    6.0A

  • VGS(th)?min?max：

    2.1V?3.9V

  • QG?：

    9.0nC?

  • Rth?：

    3.0K/W?

  • RthJC?max：

    3.0K/W

  • RthJA?max：

    62.0K/W

  • Operating Temperature?min：

    -55.0°C?

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