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SPP35N10

SIPMOS Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

SPP35N10

N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBSEMI

SPP35N10

MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

Infineon

STD35N10

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●TO-252andTO-251Package.

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

Samhop

STP35N10

SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON).

STU412STO-252Single-N STU420STO-252Single-N STU442STO-252Single-N STU410STO-252Single-N STU456ATO-252Single-N STU456STO-252Single-N STU448STO-252Single-N STU466STO-252Single-N STU446STO-252SingleN STU432LTO-252SingleN STU438ATO-252Single-N STU458STO-252SingleN

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

Samhop

STP35N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半導(dǎo)體有限公司

DOINGTER

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    SPP35N10

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 100V 35A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
INFINEON/英飛凌
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20300
INFINEON/英飛凌原裝特價(jià)SPP35N10即刻詢購(gòu)立享優(yōu)惠#長(zhǎng)期有貨
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原裝進(jìn)口原廠原包接受訂貨
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原裝現(xiàn)貨假一罰十
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原裝庫(kù)存
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只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣
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原裝現(xiàn)貨庫(kù)存.價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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INFINE0N
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TO-220-3
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一級(jí)代理商現(xiàn)貨批發(fā),原裝正品,假一罰十
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Infineo
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TO-220
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原裝現(xiàn)貨價(jià)格優(yōu)勢(shì)
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infineon technologies
23+
NA
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原裝現(xiàn)貨 庫(kù)存特價(jià)/長(zhǎng)期供應(yīng)元器件代理經(jīng)銷(xiāo)
 詢價(jià)
更多SPP35N10供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 14:14:00

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