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SPR50P03-C

Marking：50P03；Package：PR-8PP；P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH

喜可士喜可士股份有限公司

50P03

P-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

50P03L

P-Channel30V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

CEB50P03

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-30V,-47A,RDS(ON)=20m?@VGS=-10V. RDS(ON)=32m?@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CEB50P03

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

CEB50P03

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-47A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=32mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP50P03

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES -30V,-47A,RDS(ON)=20mW@VGS=-10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-220&TO-263package. RDS(ON)=32mW@VGS=-4.5V. Leadfreeproductisacquired.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

華瑞華瑞功率電子股份有限公司

CEP50P03

P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ■-30V,-47A,RDS(ON)=20m?@VGS=-10V. RDS(ON)=32m?@VGS=-4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263package.

CETChino-Excel Technology

華瑞華瑞股份有限公司

CJAC50P03

P-ChannelPowerMOSFET

JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd

長(zhǎng)電科技江蘇長(zhǎng)電科技股份有限公司

EMB50P03G

P??hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS‐30V RDSON(MAX.)60mΩ ID‐6A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

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更多SPR50P03-C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-25 14:10:00

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