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SQJ123ELP	文件：314.46 Kbytes Page：8 Pages	Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?AEC-Q101qualified ?100RgandUIStested ?Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SQJ123ELP	文件：219.67 Kbytes Page：8 Pages	Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175 ?C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SQJ123ELP	文件：222.22 Kbytes Page：8 Pages	Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175 ?C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SQJ123ELP_V02	文件：314.46 Kbytes Page：8 Pages	Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175 °C MOSFET FEATURES ?TrenchFET?powerMOSFET ?AEC-Q101qualified ?100RgandUIStested ?Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SQJ123ELP_V01	文件：222.22 Kbytes Page：8 Pages	Automotive P-Channel 12 V (D-S) 175 ?C MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
SSM-123-L-DV-LC	文件：284.41 Kbytes Page：1 Pages	TIGERCLAW??SURFACEMOUNTSOCKET	Samtec Samtec, Inc	Samtec
STD123	文件：268.99 Kbytes Page：4 Pages	SiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES ●Lowsaturationmediumcurrentapplication ●Extremelylowcollectorsaturationvoltage ●Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers ●HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability ●Lowonresistance:RON=0.6?(Max.)(IB=1mA） APPLICATIONS ●NPNSiliconEpitaxialPlanarTr	BILINChangzhou Galaxy Century Microelectronics Co.,Ltd. 銀河微電常州銀河世紀(jì)微電子股份有限公司	BILIN
STD123	文件：180.34 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Features ?Lowsaturationmediumcurrentapplication ?Extremelylowcollectorsaturationvoltage ?Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers ?HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability ?Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
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STD123AS	文件：273.16 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Features ?Highβ&lowsaturationtransistor. ?hFE=400Min.@VCE=1V,Ic=100mA ?Suitableforlargecurrentdrivedirectly. ?ApplicationforIREDDrivetransistorin remotetransmitter.	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
STD123ASF	文件：262.91 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Features ?Highβ&lowsaturationtransistor. hFE=400Min.@VCE=1V,Ic=100mA ?Suitableforlargecurrentdrivedirectly. ?ApplicationforIREDDrivetransistorinremote transmitter.	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
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STD123N	文件：213.06 Kbytes Page：3 Pages	EpitaxialplanarNPNsilicontransistor Description ?Highcurrentapplication Features ?Extremelylowcollectorsaturationvoltage:VCE(sat)=0.1V(Typ.)@IC=500mA,IB=50mA ?Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers ?HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability ?Lowonresistance:RON=0.6?(Max.)@IB=1mA	AUK AUK corp	AUK
STD123S	文件：1.57374 Mbytes Page：4 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Lowsaturationmediumcurrentapplication Extremelylowcollectorsaturationvoltage Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶電子東莞市南晶電子有限公司	DGNJDZ
STD123S	文件：252.33 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Features ?Lowsaturationmediumcurrentapplication ?Extremelylowcollectorsaturationvoltage ?Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers ?HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability ?Lowonresistance:RON=0.6Ω(Max.)(IB=1mA)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團(tuán)	KODENSHI
STD123S	文件：944.74 Kbytes Page：2 Pages	TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Lowsaturationmediumcurrentapplication ●Extremelylowcollectorsaturationvoltage ●Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers ●HighDCcurrentgainandlargecurrentcapability ●Lowonresistance:RON=0.6?(Max.)(IB=1mA)	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金譽(yù)半導(dǎo)體深圳市金譽(yù)半導(dǎo)體股份有限公司	HTSEMI

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更多SQJ123ELP供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 23:00:00

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