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SQJ412EP

Automotive Dual N-Channel 12 V (D-S) 175 °C MOSFETs

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SQJ412EP

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SQJ412EP_15

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SQJ412EP_V01

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 ?C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

SQJ412EP-T1-GE3

Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 ?C MOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導體

STA412A

NPNGeneralpurpose

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

STA412A

NPNGeneralpurpose

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

STA412A

NPNGeneralpurpose

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

STD412S

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ●TO-252andTO-251Package. ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●ESDProtected.

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

STU412S

N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES ●TO-252andTO-251Package. ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●ESDProtected.

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    SQJ412EP

  • 功能描述：

    MOSFET 40V 32A 83W N-Ch Automotive

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多SQJ412EP供應(yīng)商 更新時間2025-1-23 11:56:00

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