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PHX4N50E

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

PHX4N50E

PowerMOStransistorIsolatedversionofPHP4N50E

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinafullpack,plasticenvelopefeaturinghighavalancheenergycapability,stableblockingvoltage,fastswitchingandhighthermalcyclingperformancewithlowthermalresistance.IntendedforuseinSwitchedModePow

PhilipsPhilips Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

SSP4N50

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SW4N50K

N-channelEnhancedmodeTO-251N/TO-252/TO-220FMOSFET

SEMIPOWERXian Semipower Electronic Technology Co., Ltd.

芯派科技芯派科技股份有限公司

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多SSH4N50供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-16 19:10:00

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