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STB28NM50N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
STB28NM50N規(guī)格書詳情
Description
These devices are N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.
■ 100 avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance
Applications
■ Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STB28NM50N
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
22+ |
TO-263 |
12000 |
原裝優(yōu)質(zhì)現(xiàn)貨訂貨渠道商 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu) |
詢價 | ||
ST |
TO-263 |
7644 |
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
ST |
23+ |
TO263 |
4000 |
原裝正品!假一罰十! |
詢價 | ||
ST |
22+23+ |
TO252 |
19946 |
絕對原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
ST(意法) |
21+ |
5000 |
只做原裝 假一罰百 可開票 可售樣 |
詢價 | |||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
TO-263-3 |
12820 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
ST |
22+ |
TO-263 |
33642 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST |
2019+ |
TO-263 |
1990 |
原盒原包裝 可BOM配套 |
詢價 |
