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STB36NM60N中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
STB36NM60N規(guī)格書詳情
Description
These FDmesh? II Power MOSFETs with
intrinsic fast-recovery body diode are produced
using the second generation of MDmesh?
technology. Utilizing a new strip-layout vertical
structure, these revolutionary devices feature
extremely low on-resistance and superior
switching performance. They are ideal for bridge
topologies and ZVS phase-shift converters.
Features
? Designed for automotive applications and
AEC-Q101 qualified
? 100 avalanche tested
? Low input capacitance and gate charge
? Low gate input resistance
? Extremely high dv/dt and avalanche
capabilities
Applications
? Automotive switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STB36NM60N
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 600V 0.092Ohm 29A MDMesh II MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STM |
2020+ |
TO263 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
TO263 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)! |
詢價 | ||
ST |
22+ |
NA |
2000 |
原裝正品支持實(shí)單 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實(shí)單價優(yōu) |
詢價 | ||
STM |
TO263 |
699839 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-263-3 |
6000 |
原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
TO-263-3 |
8860 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
23+ |
TO-263-3 |
12820 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
TO-263 |
8498 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO-263 |
65200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 |
