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STB8NM60D

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

STB8NM60D

N-CHANNEL 600V - 0.9Ohm - 8A - TO-220/D2PAK

? High dv/dt and avalanche capabilities\n? Low input capacitance and gate charge\n? 100% avalanche rated? Fast internal recovery diode\n? Low gate input resistance;

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

ST

STB8NM60D

N-CHANNEL 600V - 0.9廓 - 8A - TO-220/D2PAK Fast Diode MDmesh??Power MOSFET

Description TheFDmesh?associatesalladvantagesofreducedon-resistanceandfastswitchingwithanintrinsicfast-recoverybodydiode.Itisthereforestronglyrecommendedforbridgetopologies,inparticularZVSphase-shiftconverters Generalfeatures ■Highdv/dtandavalanchecapabilities

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STMICROELECTRONICS

STB8NM60D

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

VBSEMI

STBC08PMR

ST
SMD

ST

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    D2PAK

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    1

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    8

  • PTOT_max(W)：

    100

  • Qg_typ(nC)：

    15

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STB8NM60D供應(yīng)商 更新時間2025-8-3 9:05:00

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