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STD100N10F7中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STD100N10F7
廠商型號(hào)

STD100N10F7

功能描述

N-channel 100 V, 6.8 mΩ typ., 80 A STripFET? F7 Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO-220FP, I2PAK and TO-220 packages

絲印標(biāo)識(shí)

100N10F7

封裝外殼

DPAK

文件大小

652.33 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

28 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-14 11:32:00

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STD100N10F7規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Among the lowest RDS(on) on the market

? Excellent FoM (figure of merit)

? Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity

? High avalanche ruggedness

Applications

? Switching applications

Description

These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET? F7 technology with an

enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also

reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STD100N10F7

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 120W

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST專家
TO-252-3
23500
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
詢價(jià)
STM
23+
TO-252-3 (DPAK)
50000
原裝正品 支持實(shí)單
詢價(jià)
STMicroelectronics
23+
MOSFET
5864
原裝原標(biāo)原盒 給價(jià)就出 全網(wǎng)最低
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HIROSE/廣瀨
2508+
/
287692
一級(jí)代理,原裝現(xiàn)貨
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ST(意法半導(dǎo)體)
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