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STD2N105K5

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=1.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=1050V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=10Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

STD2N105K5

N溝道1050 V、6 Ohm典型值、1.5 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封裝

這款超高壓N-溝道功率MOSFETs 采用MDmesh? K5技術(shù)進行設(shè)計。該技術(shù)以創(chuàng)新專有的垂直工藝為基礎(chǔ)。因此，在要求高功率密度和高效率的應(yīng)用中，導(dǎo)通電阻顯著降低，并具有極低的柵極電荷。\n\n; ? 業(yè)界領(lǐng)先的低 RDS(on) x 面積 \n? 業(yè)界出色的品質(zhì)因數(shù)（FoM） \n? 極低的柵極電荷 \n? 經(jīng)過100％雪崩測試 \n? 穩(wěn)壓保護;

STSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

ST

STD2N105K5

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/2n105k5/marking.html">2N105K5；Package：DPAK；N-channel 1050 V, 6 廓 typ., 1.5 A MDmesh??K5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220 and IPAK packages

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

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STFW2N105K5

N-channel1050V,6廓typ.,1.5AZener-protectedSuperMESH??5PowerMOSFETinaTO-3PFpackage

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STP2N105K5

N-channel1050V,6廓typ.,1.5AMDmesh??K5PowerMOSFETsinDPAK,TO-220andIPAKpackages

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STMICROELECTRONICS

STP2N105K5

N-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=1.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=1050V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=8Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·Switching

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    DPAK

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    1050

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    8

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    1.5

  • PTOT_max(W)：

    60

  • Qg_typ(nC)：

    10

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更多STD2N105K5供應(yīng)商 更新時間2025-8-3 14:14:00

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