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STD6N10中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STD6N10
廠商型號

STD6N10

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

文件大小

171.05 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-4-15 10:34:00

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STD6N10規(guī)格書詳情

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

■ TYPICAL RDS(on) = 0.35 ?

■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C

■ LOW GATE CHARGE

■ HIGH CURRENT CAPABILITY

■ 175°C OPERATING TEMPERATURE

■ APPLICATION ORIENTED CHARACTERIZATION

■ THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)

■ SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252) POWER PACKAGE IN TAPE & REEL (SUFFIX ”T4”)

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SOLENOID AND RELAY DRIVERS

■ REGULATORS

■ DC-DC & DC-AC CONVERTERS

■ MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS

■ AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION, ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)

產品屬性

  • 型號:

    STD6N10

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 100V 6A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
21+
TO-252
23480
詢價
ST
2024+
TO-252
50000
原裝現(xiàn)貨
詢價
ST
05+
原廠原裝
2551
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應
詢價
24+
N/A
1380
詢價
ST
24+
SOT-252
2987
只售原裝自家現(xiàn)貨!誠信經營!歡迎來電!
詢價
ST
23+24
TO-252
59630
主營原裝MOS,二三級管,肖特基,功率場效應管
詢價
ST
1709+
TO-252/D-
32500
普通
詢價
ST/意法
2022+
SOT-252
12888
原廠代理 終端免費提供樣品
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ST/意法
24+
TO-252
12594
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SGS
23+
NA
1386
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