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STF110N10F7

N-channel 100 V, 5.1 mOhm typ., 45 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220FP package

該器件使用ST專有的STripFET?技術(shù)的第七代設(shè)計(jì)規(guī)則,具有新的柵極結(jié)構(gòu)。因而,功率MOSFET在不同封裝中都能呈現(xiàn)最低的RDS(on)。\n \n; ? 超低導(dǎo)通電阻? 經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試;

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

ST

STF110N10F7

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

STF110N10F7

絲?。?a target="_blank" title="Marking" href="/110n10f7/marking.html">110N10F7;Package:TO-220FP;N-channel 100 V, 5.1 m廓 typ., 110 A, STripFET??VII DeepGATE?? Power MOSFETs in TO-220FP and TO-220 packages

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STL110N10F7

Highavalancheruggedness

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STLD110N10F7

N-channel100V,5mΩtyp.,107ASTripFET?F7PowerMOSFETinaPowerFLAT?5x6dualsidecoolingpackage

Features ?AmongthelowestRDS(on)onthemarket ?ExcellentFoM(figureofmerit) ?LowCrss/CissratioforEMIimmunity ?Highavalancheruggedness Applications Switchingapplications Description ThisN-channelPowerMOSFETutilizesSTripFET?F7technologywithan enhancedtrenchg

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STP110N10F7

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

技術(shù)參數(shù)

  • Package:

    TO-220FP

  • Grade:

    Industrial

  • VDSS(V):

    100

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω):

    0.007

  • Drain Current (Dc)_max(A):

    45

  • PTOT_max(W):

    30

  • Qg_typ(nC):

    72

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多STF110N10F7供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-3 14:14:00