首頁>STGB18N40LZ-1>規(guī)格書詳情
STGB18N40LZ-1分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
STGB18N40LZ-1 |
參數(shù)屬性 | STGB18N40LZ-1 封裝/外殼為TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 420V 30A 150W I2PAK |
功能描述 | EAS 180 mJ - 400 V - internally clamped IGBT |
封裝外殼 | TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA |
文件大小 |
636.58 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
18 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時(shí)間 | 2025-1-25 22:58:00 |
STGB18N40LZ-1規(guī)格書詳情
STGB18N40LZ-1屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGB18N40LZ-1晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
STGB18N40LZ-1
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.7V @ 4.5V,10A
- 輸入類型:
邏輯
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
650ns/13.5μs
- 測試條件:
300V,10A,5V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA
- 供應(yīng)商器件封裝:
I2PAK(TO-262)
- 描述:
IGBT 420V 30A 150W I2PAK
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
2016+ |
TO263 |
16393 |
只做原裝,假一罰十,公司可開17%增值稅發(fā)票! |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
2020+ |
NA |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO263 |
20000 |
原廠原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ST |
原廠原封 |
93480 |
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價(jià) | |||
ST/意法 |
22+ |
TO-263 |
9000 |
原裝正品,支持實(shí)單! |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
23+ |
TO263 |
32732 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
ST |
24+ |
TO220MONOC.. |
8866 |
詢價(jià) | |||
ST/意法半導(dǎo)體半導(dǎo)體 |
24+ |
TO263 |
444 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
2022+ |
NA |
8600 |
原裝正品,歡迎來電咨詢! |
詢價(jià) | ||
ST |
2021+ |
D2PAK |
100500 |
一級(jí)代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價(jià) |