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STGSB200M65DF2AG

Marking:GSB200M65DF2AG;Package:SMIT;Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A, low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package

Features ?AEC-Q101qualified ?6μsofminimumshort-circuitwithstandtime ?VCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=200A ?Tightparameterdistribution ?PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient ?Lowthermalresistance ?Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C ?Diceondirectbondcopper

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多STGSB200M65DF2AG供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-10 16:13:00