首頁>STGW10M65DF2>規(guī)格書詳情
STGW10M65DF2分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
STGW10M65DF2 |
參數(shù)屬性 | STGW10M65DF2 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE |
功能描述 | Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low loss |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
928.21 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
16 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
中文名稱 | 意法半導體集團官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-2-18 23:42:00 |
STGW10M65DF2規(guī)格書詳情
STGW10M65DF2屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGW10M65DF2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
STGW10M65DF2
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
M
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,10A
- 開關能量:
120μJ(開),270μJ(關)
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
19ns/91ns
- 測試條件:
400V,10A,22 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半導體 |
2023 |
TO-247-3 |
6000 |
公司原裝現(xiàn)貨/支持實單 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
21+ |
TO-247-3 |
12820 |
公司只做原裝,誠信經(jīng)營 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
23+ |
TO-247-3 |
12700 |
買原裝認準中賽美 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
24+ |
TO-247-3 |
7188 |
秉承只做原裝 終端我們可以提供技術支持 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
22+ |
TO-247-3 |
10000 |
只有原裝,原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu) |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
21+ |
TO-247-3 |
8860 |
只做原裝,質量保證 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
23+ |
TO-247-3 |
12820 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應,賬期支持! |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
2023+ |
TO-247-3 |
6000 |
原裝正品現(xiàn)貨、支持第三方檢驗、終端BOM表可配單提供 |
詢價 |