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STGW40H60DLFB

Marking：GW40H60DLFB；Package：TO-247；Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 40 A high speed

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefieldstopstructure.ThedeviceispartofthenewHBseriesofIGBTs,whichrepresentanoptimumcompromisebetweenconductionandswitchinglossestomaximizetheefficiencyofanyfrequencyconverter.Furth

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW40H60DLFB

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 80A 283W TO-247

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

MBR40H60CT

DualCommon-CathodeSchottkyRectifiers

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR40H60CT

DualSchottkyBarrierRectifiers

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR40H60CT

DualCommonCathodeSchottkyRectifiers

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR40H60CT

Dualrectifierconstruction,positivecentertap

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

MBR40H60CT

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

Feaures Highefficienctyoperation Lowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std (Halogen Free) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

MBR40H60CT

Dualrectifierconstruction,positivecentertap

KERSEMI

Kersemi Electronic Co., Ltd.

MBR40H60PT

DualCommonCathodeSchottkyRectifier

FEATURES ?Powerpack ?Guardringforovervoltageprotection ?Lowerpowerlosses,highefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Highforwardsurgecapability ?Highfrequencyoperation ?Solderdip260°C,40s ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

MBR40H60PT

SCHOTTKYBARRIERRECTIFIERS

Feaures HighefficienctyoperationandLowpowerloss Highforwardsurgecapability LeadfreeincompliancewithEURoHS 2011/65/EUdirective GreenmoldingcompoundasperIEC61249 Std..(HalogenFree) Lowstoredchargemajoritycarrierconduction

SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD

森美特森美特半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STGW40H60DLFB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，40A

  • 開關(guān)能量：

    363μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    -/142ns

  • 測試條件：

    400V，40A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 600V 80A 283W TO-247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST/意法半導(dǎo)體
22+
TO-247-3
6007
原裝正品現(xiàn)貨 可開增值稅發(fā)票
 詢價
ST/意法半導(dǎo)體
2023
TO-247-3
6000
公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單
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STMicroelectronics
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進(jìn)口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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ST/意法半導(dǎo)體
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TO-247-3
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ST/意法
2022+
TO247
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原廠原裝,假一罰十
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ST/意法半導(dǎo)體
21+
TO-247-3
12820
公司只做原裝,誠信經(jīng)營
 詢價
更多STGW40H60DLFB供應(yīng)商 更新時間2025-2-13 8:30:00

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