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STGWT80V60F

Marking：GWT80V60F；Package：TO-3P；Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT80V60F

Package：TO-3P-3，SC-65-3；包裝：管件 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 120A 469W TO-3P

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGFW80V60F

Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,80Averyhighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW80V60DF

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGW80V60F

Trenchgatefield-stopIGBT,Vseries600V,80Averyhighspeed

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGWT80V60DF

Lowthermalresistance

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGWT80V60F

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類(lèi)型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.3V @ 15V，80A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    1.8mJ（開(kāi)），1mJ（關(guān)）

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    60ns/220ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，80A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 600V 120A 469W TO-3P

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
STM
1809+
TO-3P
326
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 詢價(jià)
22+
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 詢價(jià)
ST
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TO3P
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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原裝現(xiàn)貨只有原裝.假一罰十
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15年芯片行業(yè)經(jīng)驗(yàn)/只供原裝正品:0755-83268964鄒小姐
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一級(jí)代理-主營(yíng)優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇
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STMicroelectronics
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TO-3P-3 SC-65-3
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獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
更多STGWT80V60F供應(yīng)商 更新時(shí)間2021-9-14 10:50:00

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