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STP11N60

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBSEMI

STP11N60DM2

N溝道600 V、0.370 Ohm典型值、10 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-220封裝

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fastrecovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift; ? Fast-recovery body diode \n? Extremely low gate charge and input capacitance \n? Low on-resistance \n? 100% avalanche tested \n? Extremely high dv/dt ruggedness \n? Zener-protected;

STSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

ST

STP11N60DM2

N-channel 600 V, 0.370 (ohm) typ., 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STMICROELECTRONICS

T11N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBSEMI

TSP11N60S

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

VBSEMI

技術(shù)參數(shù)

  • Package：

    TO-220AB

  • Grade：

    Industrial

  • VDSS(V)：

    600

  • RDS(on)_max(@ VGS=10V)(Ω)：

    0.42

  • Drain Current (Dc)_max(A)：

    10

  • PTOT_max(W)：

    110

  • Qg_typ(nC)：

    16.5

  • Features：

    Fast recovery diode

  • Reverse Recovery Time_typ(ns)：

    90

  • Qrr_typ(nC)：

    248

  • Peak Reverse Current_nom(A)：

    5.5

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ST
23+
TO-220
18689
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ST
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TO-220
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TO-220
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更多STP11N60供應商 更新時間2025-8-3 9:00:00

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