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STP260N4F7中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

STP260N4F7
廠商型號(hào)

STP260N4F7

功能描述

N-channel 40 V, 1.8 mΩ typ., 120 A STripFET? F7 Power MOSFET in a TO-220 package

絲印標(biāo)識(shí)

260N4F7

封裝外殼

TO-220

文件大小

683.86 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

13 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-24 9:39:00

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STP260N4F7規(guī)格書(shū)詳情

Features

? Among the lowest RDS(on) on the market

? Excellent FoM (figure of merit)

? Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity

? High avalanche ruggedness

Applications

? Switching applications

Description

This N-channel Power MOSFET utilizes

STripFET? F7 technology with an enhanced

trench gate structure that results in very low onstate

resistance, while also reducing internal

capacitance and gate charge for faster and more

efficient switching.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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