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STP2N62K3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=620V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance； -RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISC

STP2N62K3

N-channel 620 V, 3 ohm, 2.2 A SuperMESH3 Power MOSFET

Description TheseSuperMESH3?PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH?technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure. Thesedevicesboastanextremelylowon-resistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,rende

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STMICROELECTRONICS

STP2N62K3

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBSEMI

STU2N62K3

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司

VBSEMI

STU2N62K3

N-channel620V,3ohm,2.2ASuperMESH3PowerMOSFET

Description TheseSuperMESH3?PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH?technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure. Thesedevicesboastanextremelylowon-resistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,rende

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STMICROELECTRONICS

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    STP2N62K3

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH3

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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更多STP2N62K3供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-8-2 15:10:00

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