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STP3NA80中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STP3NA80
廠商型號

STP3NA80

功能描述

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR

文件大小

200.79 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-19 10:50:00

STP3NA80規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

This series of POWER MOSFETS represents the most advanced high voltage technology. The optimized cell layout coupled with a new proprietary edge termination concur to give the device low RDS(on) and gate charge, unequalled ruggedness and superior switching performance.

■ TYPICAL RDS(on) = 3.5 ?

■ ± 30V GATE TO SOURCE VOLTAGE RATING

■ 100 AVALANCHE TESTED

■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC

■ LOW INTRINSIC CAPACITANCES

■ GATE GHARGE MINIMIZED

■ REDUCED THRESHOLD VOLTAGE SPREAD

APPLICATIONS

■ HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING

■ SWITCH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)

■ DC-AC CONVERTERS FOR WELDING EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVE

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STP3NA80

  • 功能描述:

    MOSFET REORD 511-STP3NB80 TO-220 N-CH 800V 3.1

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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