STP50NE10中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
STP50NE10規(guī)格書詳情
Description
This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique Single Feature Size? strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
General features
■ Exceptional high dv/dt capability
■ 100 avalanche tested
■ Low gate charge at 100 °C
■ Application oriented characterization
Applications
■ Switching application
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STP50NE10
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
10 |
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ST |
24+ |
TO-220 |
56000 |
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詢價 | ||
ST/意法 |
22+ |
TO220 |
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ST |
24+ |
TO-220 |
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ST |
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TO-220 |
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ST |
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