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STPSC8H065C

650 V power Schottky silicon carbide diode; ? 無反向恢復，或反向恢復可忽略\n? 開關(guān)行為受溫度影響小? 高耐正向浪涌電流能力;

碳化硅（SiC）二極管是一款超高性能的功率肖特基二極管，是使用碳化硅基板制造的。寬帶隙材料可用于設(shè)計650V額定電壓的肖特基二極管。由于肖特基結(jié)構(gòu)的關(guān)系，關(guān)斷時不存在反向恢復現(xiàn)象，且振鈴模式幾乎可忽略。最小的容性關(guān)斷行為受溫度影響小。\n 這款雙管配置的二極管特別適用于交錯或無橋拓撲，可在硬開關(guān)條件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌電流能力可確保在瞬態(tài)期間提供良好的耐受性。\n

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意法半導體意法半導體集團

STPSC8H065C

High forward surge capability

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STPSC8H065CT

High forward surge capability

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意法半導體意法半導體集團

STPSC8H065CT

Package：TO-220-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 陣列 描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO220

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STPSC8H065D

650VpowerSchottkysiliconcarbidediode

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STPSC8H065DLF

650VpowerSchottkysiliconcarbidediode

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技術(shù)參數(shù)

  • Number of Diodes_spec：

    2

  • Marketing Status：

    Active

  • Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)：

    650

  • Average Rectified Current_max(A)：

    8

  • VF_max(V)：

    1.75

  • VF measure condition_spec(@ IF)(A)：

    4

  • Reverse Current_max(mA)：

    0.04

  • Total capacitive charge(nC)：

    12.5

  • Non-Repet Peak Forward Surge Current_max(A)：

    38

  • Junction Temperature_max(°C)：

    175

  • General Description：

    650 V

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STPSC8H065C供應商 更新時間2025-7-29 14:02:00

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