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STU8N65M5中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STU8N65M5
廠商型號

STU8N65M5

功能描述

N-channel 650 V, 0.56 廓, 7 A MDmesh??V Power MOSFET

文件大小

1.30413 Mbytes

頁面數(shù)量

25

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-3-9 20:35:00

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STU8N65M5規(guī)格書詳情

Description

These devices are N-channel MDmesh? V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH? horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

Features

■ Worldwide best RDS(on) * area

■ Higher VDSS rating

■ High dv/dt capability

■ Excellent switching performance

■ Easy to drive

■ 100 avalanche tested

Applications

■ Switching applications

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    STU8N65M5

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A Mdmesh V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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