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STV200N55F3中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
STV200N55F3 |
| 功能描述 | N-channel 55 V, 1.8 m?, 200 A, PowerSO-10 STripFET? Power MOSFET |
| 絲印標識 | |
| 封裝外殼 | PowerSO-10 |
| 文件大小 |
491.83 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-26 17:10:00 |
STV200N55F3規(guī)格書詳情
Description
This n-channel enhancement mode Power
MOSFET is the latest refinement of ST’s
STripFET? process. The resulting transistor
shows extremely high packing density for low on
resistance, rugged avalanche characteristics and
low gate charge.
Features
■ Conduction losses reduced
■ Low profile, very low parasitic inductance
Application
■ Switching applications
產(chǎn)品屬性
- 型號：
STV200N55F3
- 功能描述：
MOSFET N-channel 55 V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
QFP80 |
21 |
原裝環(huán)保房間現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 | ||
ST |
PowerSO-10 |
93480 |
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
ST |
23+ |
SOP8 |
5000 |
原裝正品,假一罰十 |
詢價 | ||
ST |
24+ |
PowerSO-10 |
7500 |
詢價 | |||
STM |
24+ |
DIP-56 |
28500 |
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
18+ |
ICDGTLCONVERGENCEPROC80- |
6800 |
公司原裝現(xiàn)貨/歡迎來電咨詢! |
詢價 | ||
N/A |
22+ |
NA |
500000 |
萬三科技,秉承原裝,購芯無憂 |
詢價 | ||
SGS |
2021+ |
SMD |
100500 |
一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,長期排單到貨 |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
PowerSO-10 裸露底部焊盤 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
ST/意法 |
21+ |
QFP |
20000 |
百域芯優(yōu)勢 實單必成 可開13點增值稅發(fā)票 |
詢價 |
