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STW18N60DM2

Extremely high dv/dt ruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STB18N60DM2

Fast-recoverybodydiode

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STF18N60DM2

N-channel600V,0.260typ.,12AMDmeshDM2PowerMOSFETinaTO-220FPpackage

Features ?Fast-recoverybodydiode ?Extremelylowgatechargeandinputcapacitance ?Lowon-resistance ?100avalanchetested ?Extremelyhighdv/dtruggedness ?Zener-protected Description Thishigh-voltageN-channelPowerMOSFETispartoftheMDmeshDM2fastrecovery diodeseries.

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STP18N60DM2

Extremelyhighdv/dtruggedness

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ST/意法半導(dǎo)體
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更多STW18N60DM2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-24 8:30:00

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