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TC58NYG0S3HBAI6集成電路（IC）的存儲(chǔ)器規(guī)格書(shū)PDF中文資料

TC58NYG0S3HBAI6
廠商型號(hào)

TC58NYG0S3HBAI6
參數(shù)屬性

TC58NYG0S3HBAI6 封裝/外殼為67-VFBGA；包裝為散裝；類別為集成電路（IC）的存儲(chǔ)器；產(chǎn)品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
功能描述

NAND Flash Memory(SLC Middle Capacity)
封裝外殼

67-VFBGA
文件大小

67.28 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

3 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

TOSHIBA【東芝】

中文名稱

株式會(huì)社東芝官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-6-25 22:59:00
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TC58NYG0S3HBAI6規(guī)格書(shū)詳情

Product list of NAND Flash Memory SLC Middle Capacity.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TC58NYG0S3HBAI6

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 包裝：

    散裝

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NAND（SLC）

  • 存儲(chǔ)容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫(xiě)周期時(shí)間 - 字，頁(yè)：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    67-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    67-VFBGA（6.5x8）

  • 描述：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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